Infineon Typ P Kanal, P-kanal, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-SOT223, ISP
- RS-artikelnummer:
- 273-3042
- Tillv. art.nr:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
118,275 kr
(exkl. moms)
147,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 4,731 kr | 118,28 kr |
| 50 - 75 | 4,377 kr | 109,43 kr |
| 100 - 225 | 4,068 kr | 101,70 kr |
| 250 - 975 | 3,983 kr | 99,58 kr |
| 1000 + | 3,902 kr | 97,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3042
- Tillv. art.nr:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | ISP | |
| Kapseltyp | PG-SOT223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 260mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie ISP | ||
Kapseltyp PG-SOT223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 260mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons P-kanal MOSFET i normal och logisk nivå, vilket minskar designkomplexiteten i tillämpningar med medelstor och låg effekt.
Enkelt gränssnitt till MCU
Snabbväxlande
Avalanche-tålighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, P-kanal, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-SOT223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-SOT223, IPN
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 990 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -2.8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101