Infineon Typ P Kanal, P-kanal, 1.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-SOT223, ISP

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

101,925 kr

(exkl. moms)

127,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 925 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 254,077 kr101,93 kr
50 - 753,768 kr94,20 kr
100 - 2253,503 kr87,58 kr
250 - 9753,432 kr85,80 kr
1000 +3,36 kr84,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3042
Tillv. art.nr:
ISP26DP06NMSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

P-kanal

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PG-SOT223

Serie

ISP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

260mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.8nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

The Infineon P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications.

Easy interface to MCU

Fast switching

Avalanche ruggedness

Relaterade länkar