Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-3022
- Tillv. art.nr:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
85,12 kr
(exkl. moms)
106,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 42,56 kr | 85,12 kr |
| 10 - 18 | 38,75 kr | 77,50 kr |
| 20 - 24 | 37,855 kr | 75,71 kr |
| 26 - 48 | 35,335 kr | 70,67 kr |
| 50 + | 32,815 kr | 65,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3022
- Tillv. art.nr:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP65R190CFD7A | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 77W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AECQ101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO220-3 | ||
Serie IPP65R190CFD7A | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 77W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AECQ101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons 650 V Cool MOS N-kanal fordons-SJ-effekt-MOSFET. Den har högsta tillförlitlighet i fält som uppfyller livslängdskraven för fordonsindustrin.
Möjliggör designer med högre effekttäthet
Granulärt sortiment tillgängligt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, OptiMOSa5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, CoolMOS^TM
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP