Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

864,00 kr

(exkl. moms)

1 080,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5017,28 kr864,00 kr
100 +16,053 kr802,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3021
Tillv. art.nr:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-TO220-3

Serie

IPP65R190CFD7A

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

77W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

AECQ101, RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons 650 V Cool MOS N-kanal fordons-SJ-effekt-MOSFET. Den har högsta tillförlitlighet i fält som uppfyller livslängdskraven för fordonsindustrin.

Möjliggör designer med högre effekttäthet

Granulärt sortiment tillgängligt

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.