Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-3006
- Tillv. art.nr:
- IPD25DP06NMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
71,79 kr
(exkl. moms)
89,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 290 enhet(er) från den 11 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,179 kr | 71,79 kr |
| 50 - 90 | 6,07 kr | 60,70 kr |
| 100 - 240 | 5,634 kr | 56,34 kr |
| 250 - 990 | 5,499 kr | 54,99 kr |
| 1000 + | 5,398 kr | 53,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3006
- Tillv. art.nr:
- IPD25DP06NMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 250mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 28W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 28W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons P-kanal MOSFET i DPAK-paket representerar den nya tekniken för batterihantering, lastomkopplare och tillämpningar för skydd mot omvänd polaritet. Enkelt gränssnitt till MCU, snabb omkoppling samt avalanche-robusthet gör den lämplig
Enkelt gränssnitt till MCU
Förbättrad effektivitet vid låga belastningar tack vare låg Qg
Snabbväxlande
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -16.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS