Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, IPB057N06N
- RS-artikelnummer:
- 273-2998
- Tillv. art.nr:
- IPB057N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
118,94 kr
(exkl. moms)
148,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 945 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,788 kr | 118,94 kr |
| 50 - 95 | 22,064 kr | 110,32 kr |
| 100 - 245 | 19,466 kr | 97,33 kr |
| 250 - 495 | 18,794 kr | 93,97 kr |
| 500 + | 16,554 kr | 82,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2998
- Tillv. art.nr:
- IPB057N06NATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPB057N06N | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -5°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 40mm | |
| Bredd | 40mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPB057N06N | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Minsta arbetsstemperatur -5°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 40mm | ||
Bredd 40mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Höjd 1.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET är optimerad för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer och surfplattladdare. Dessutom är dessa enheter ett perfekt val för ett brett utbud av industriella tillämpningar
Högsta systemeffektivitet
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Systemkostnadsreducering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, IPB057N06N
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 122 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 119 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101