Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 273-2778
- Tillv. art.nr:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 319,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
68,32 kr
(exkl. moms)
85,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 96 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 49 | 68,32 kr | - |
| 50 - 99 | 61,94 kr | 319,00 kr |
| 100 - 249 | 57,01 kr | 1 131,00 kr |
| 250 - 499 | 52,53 kr | 3 947,50 kr |
| 500 + | 48,61 kr | 9 855,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2778
- Tillv. art.nr:
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO263-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO263-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons MOSFET är en 650 V CoolMOS CFD7A-effektenhet. Det är en Infineons senaste generation av marknadsledande CoolMOS MOSFET med hög spänning för fordonsindustrin. Förutom de välkända egenskaperna för hög kvalitet och tillförlitlighet som fordonsindustrin kräver, ger den nya CoolMOS CFD7A-serien en integrerad snabb kroppsdiod och kan användas för PFC och resonansomkopplande topologier som ZVS fasförskjutning full brygga och LLC.
Lägre omkopplingsförluster
Hög kvalitet och tillförlitlighet
100-procentigt lavintestat
Optimerad för högre batterispänning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 134 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon 1 N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, AIK
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3-2, CoolMOS CPA AEC-Q101