Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 273-2996
- Tillv. art.nr:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
50,29 kr
(exkl. moms)
62,862 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 480 enhet(er) från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 25,145 kr | 50,29 kr |
| 10 - 18 | 22,79 kr | 45,58 kr |
| 20 - 24 | 22,40 kr | 44,80 kr |
| 26 - 48 | 21,055 kr | 42,11 kr |
| 50 + | 19,265 kr | 38,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2996
- Tillv. art.nr:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 87A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TO 220 FullPAK | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 87A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TO 220 FullPAK | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET i TO-220 fullPAK-paket har ökad effekttäthet, förbättrad effektivitet med låg RDS och lägre systemkostnader. TO-220 FullPAK-paketportföljen av effekt-MOSFET-transistorer är en perfekt lösning för synkron likriktering.
Färre parallellkoppling krävs
Låg spänningsöverspänning
Mindre värmegenerering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 250 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-220, OptiMOS 3
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO 220 FullPAK, SF Series
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 144 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS