Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6735
- Tillv. art.nr:
- IRF7465TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
11 772,00 kr
(exkl. moms)
14 716,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 2,943 kr | 11 772,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6735
- Tillv. art.nr:
- IRF7465TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET har låg laddning mellan gate och drain för att minska switchförlusterna. Den är lämplig för användning med högfrekventa DC-DC-omvandlare.
Fullt karakteriserad lavinspänning och -ström
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 5.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET