Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 273-2794
- Tillv. art.nr:
- IPT029N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
107,52 kr
(exkl. moms)
134,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 82 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 53,76 kr | 107,52 kr |
| 50 - 98 | 48,945 kr | 97,89 kr |
| 100 - 248 | 44,745 kr | 89,49 kr |
| 250 - 998 | 41,385 kr | 82,77 kr |
| 1000 + | 38,415 kr | 76,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2794
- Tillv. art.nr:
- IPT029N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 169A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 169A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en N-kanal 80 V MOSFET och idealisk för högfrekvent omkoppling och synkroniserad likriktering. Den är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar. Denna MOSFET är fullt kvalificerad enligt JEDEC för industriella tillämpningar och halogenfri enligt IEC61249 2 21.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Utmärkt grindladdning
Mycket lågt motstånd vid påverkan
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT