Infineon N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-artikelnummer:
- 273-2792
- Tillv. art.nr:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
76,50 kr
(exkl. moms)
95,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 76,50 kr |
| 50 - 99 | 69,78 kr |
| 100 - 249 | 63,73 kr |
| 250 - 999 | 58,58 kr |
| 1000 + | 54,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2792
- Tillv. art.nr:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 331A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 331A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp PG-HSOF-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineons MOSFET är en N-kanal 80 V MOSFET och optimerad för batteridrivna tillämpningar. Den är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar. Denna MOSFET är fullt kvalificerad enligt JEDEC för industriella tillämpningar och halogenfri enligt IEC61249 2 21.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Utmärkt grindladdning
Mycket lågt motstånd vid påverkan
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 87 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 313 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT