Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- RS-artikelnummer:
- 273-2790
- Tillv. art.nr:
- IPL65R099C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
31,58 kr
(exkl. moms)
39,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 88 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 49 | 31,58 kr |
| 50 - 99 | 26,10 kr |
| 100 - 249 | 25,65 kr |
| 250 - 999 | 25,42 kr |
| 1000 + | 25,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2790
- Tillv. art.nr:
- IPL65R099C7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | PG-VSON-4 | |
| Serie | IPL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 128W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp PG-VSON-4 | ||
Serie IPL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal effektförlust Pd 128W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Infineons MOSFET är en 650 V CoolMOS C7-serien effekttransistor. CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superkopplingsprincipen och banbrytande av Infineon Technologies. CoolMOS C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. Produktportföljen ger alla fördelar med snabba superkopplings-MOSFET-transistorer med bättre effektivitet, minskad grindladdning, enkel implementering och enastående tillförlitlighet.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Lägre omkopplingsförluster
Öka effekttätheten
Möjliggör högre frekvens
Halogenfri formblandning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, IPL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 4 Ben, PG-VSON-4, CoolMOS C7
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PG-VSON-6, IGC033
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 700 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, Enkla MOSFETs, 76 A 100 V Förbättring, 6 Ben, PG-VSON-6, CoolGaN
- Infineon Likriktare och Schottky-diod, 650 V, 12 A PG-VSON-4
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 4 Ben, VSON, CoolMOS