Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-2783
- Tillv. art.nr:
- IPD046N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
29 635,00 kr
(exkl. moms)
37 045,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 11,854 kr | 29 635,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2783
- Tillv. art.nr:
- IPD046N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en N-kanal 80 V MOSFET. Den är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering. Denna MOSFET har en drifttemperatur på 175 grader Celsius. Denna MOSFET är kvalificerad enligt JEDEC1 för måltillämpning och halogenfri enligt IEC61249 2 21.
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Utmärkt grindladdning
Mycket lågt motstånd vid påverkan
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS