Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
268-8372
Tillv. art.nr:
SQS460CENW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8W

Serie

SQS

Typ av fäste

Kretskort

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.059Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

845mV

Maximal effektförlust Pd

27W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
Vishays TrenchFET-effekt-MOSFET med dubbel N-kanal för bilar är bly-Pb- och halogenfri enhet. Det är en enkel konfiguration MOSFET och den är oberoende av driftstemperatur.

AEC Q101-kvalificerade

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.