Vishay 4 Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4917CEY
- RS-artikelnummer:
- 268-8360
- Tillv. art.nr:
- SQ4917CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
11 585,00 kr
(exkl. moms)
14 480,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,634 kr | 11 585,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8360
- Tillv. art.nr:
- SQ4917CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQ4917CEY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 60V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | |
| Antal element per chip | 4 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQ4917CEY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 60V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | ||
Antal element per chip 4 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays TrenchFET-effekt-MOSFET med dubbel P-kanal för bilar är en blyfri och halogenfri enhet med enkel konfiguration MOSFET och den är oberoende av driftstemperatur.
AEC Q101-kvalificerade
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay 4 Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4917CEY
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4917CEY AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 17.3 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4401CEY AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 33.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101