Vishay N Kanal, MOSFET, 20.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 268-8357
- Tillv. art.nr:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
93,41 kr
(exkl. moms)
116,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 330 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,682 kr | 93,41 kr |
| 50 - 95 | 16,89 kr | 84,45 kr |
| 100 - 245 | 13,148 kr | 65,74 kr |
| 250 - 995 | 12,902 kr | 64,51 kr |
| 1000 + | 8,58 kr | 42,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8357
- Tillv. art.nr:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQ4840CEY | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.012Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQ4840CEY | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.012Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximal effektförlust Pd 7.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay fordons-N-kanal TrenchFET-effekt-MOSFET är en blyfri och halogenfri enhet med enkel konfiguration MOSFET och är oberoende av drifttemperatur.
AEC Q101-kvalificerade
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 20.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 72 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA78EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA38EP AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101
- Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 346 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SQRS144EP AEC-Q101