Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3916
- Tillv. art.nr:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
148,96 kr
(exkl. moms)
186,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,896 kr | 148,96 kr |
| 100 - 490 | 11,536 kr | 115,36 kr |
| 500 - 990 | 9,789 kr | 97,89 kr |
| 1000 + | 8,445 kr | 84,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3916
- Tillv. art.nr:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 66W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Längd | 5.99mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal effektförlust Pd 66W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.07mm | ||
Längd 5.99mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
TrenchFET® effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8L, SQJ872EP AEC-Q101