Vishay N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiRA
- RS-artikelnummer:
- 268-8338
- Tillv. art.nr:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
130,37 kr
(exkl. moms)
162,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,074 kr | 130,37 kr |
| 50 - 95 | 23,498 kr | 117,49 kr |
| 100 - 245 | 18,928 kr | 94,64 kr |
| 250 - 995 | 18,57 kr | 92,85 kr |
| 1000 + | 12,858 kr | 64,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8338
- Tillv. art.nr:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 128A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiRA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0022Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 128A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiRA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0022Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanal TrenchFET generation 4 Power MOSFET är en halogenfri enhet. Det är en enkel konfigurationsenhet och den används som synkron likriktering och motorstyrning.
RoHS-kompatibel
100-procentigt UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiRA
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 26.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 52.1 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 78.4 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR