Vishay N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8333
Tillv. art.nr:
SIR5708DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.023Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Maximal effektförlust Pd

65.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay N-kanals TrenchFET generation 5 power MOSFET är en bly-Pb- och halogenfri enhet. Den används i tillämpningar som synkron likriktning, styrning av motordrifter och strömförsörjning.

Mycket lågt meritvärde

RoHS-kompatibel

UIS testade 100 procent

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.