Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

107,30 kr

(exkl. moms)

134,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 49107,30 kr
50 - 9996,54 kr
100 - 24979,18 kr
250 +77,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8307
Tillv. art.nr:
SIHK085N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SIHK

Kapseltyp

PowerPAK 10 x 12

Typ av fäste

Kretskort

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.085Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal effektförlust Pd

184W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

9.9mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay SIHK-serien MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK085N60EF-T1GE3


Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för strömomvandlings- och switchningstillämpningar där förhöjd spänning och termisk hållbarhet krävs. Det är en PCB-monterad N-kanalförstärkningsenhet optimerad för kretsar med medelstor ström och hög spänning i krävande termiska miljöer. Komponenten överensstämmer med RoHS-direktiven och är avsedd för ingenjörer som specificerar robusta diskreta effekttransistorer för industri- och kraftelektronikkonstruktioner.

Funktioner och fördelar:


• Maximal dräneringsspänning på 650 V ger brett högspänningsutrymme
• Kontinuerlig dräneringsström på 30 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0,085 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i strömkanaler
• Maximal effektförlust på 184 W möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• 63 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara krav på omkopplingsdrivning
• Gränsen för gate-källa ±30 V skyddar gate-drivmarginalen under transienter

Användningsområden


• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare i industriella system
• Används för fasbenomkopplare i motorstyrda växelriktarsteg
• Idealisk för omkopplare på primärsidan i SMPS-topologier
• Kan användas för lastväxling i batterihanteringssystem
• Används med diskreta effektsteg som kräver kompakt kapslingstäthet

Vilka extrema temperaturer kan enheten tolerera under drift?


Den är specificerad för att fungera i ett brett intervall från -55 °C upp till 150 °C, vilket täcker lågtemperaturstarter och förhöjda kopplingsförhållanden.

Vilken kapslingstyp bör jag förvänta mig för kretskortsmontering och värmehantering?


Den levereras i ett PowerPAK 10x12-paket som är optimerat för kretskortsmontering för att underlätta värmespridning och layouter med låg induktans.

Vilka grinddrivaröverväganden innebär grindladdningsvärdet?


Den typiska 63 nC grindladdningen kräver en drivare som kan generera och sänka tillräckligt med ström för att uppfylla önskade omkopplingshastigheter samtidigt som den hanterar omkopplingsförluster.

Hur påverkar kanalkonfigurationen valet av kretsdesign?


Som en N-kanalförstärkningsenhet kräver den lämplig gate-drivningspolaritet och används vanligtvis på låg-sidan eller som en hög-sidig omkopplare med nivåförskjutning.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.