Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- RS-artikelnummer:
- 268-8291
- Tillv. art.nr:
- SIHB085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 18%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 228,60 kr
(exkl. moms)
2 785,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 44,572 kr | 2 228,60 kr | - |
| 100 - 450 | 36,46 kr | 1 823,00 kr | 18% |
| 500 - 950 | 31,022 kr | 1 551,10 kr | 30% |
| 1000 + | 30,213 kr | 1 510,65 kr | 32% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8291
- Tillv. art.nr:
- SIHB085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SIHB | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.084Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 184W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SIHB | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 184W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHB-serien MOSFET, 650 V drain source-spänning, 34 A kontinuerlig drain-ström – SIHB085N60EF-GE3
Denna MOSFET är en högspännings-N-kanal-halvledarenhet utformad för strömomkoppling i ytmonteringstillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde och är lämplig för kretsar som kräver betydande dräneringsström och hög dräneringskällspänningskapacitet. Komponenten levereras i en TO-263-förpackning för värmehantering på kretskortsmonterade effektsteg.
Funktioner och fördelar:
• 650 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 34 A stöder hantering av tung belastning
• 0.084 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 63 nC total grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivkonstruktion
• 184 W effektförlust underlättar layouter med hög effekttäthet
• Vgs 30 V-gränsen ger robusta grindspänningsmarginaler
• Kontinuerlig dräneringsström på 34 A stöder hantering av tung belastning
• 0.084 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 63 nC total grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivkonstruktion
• 184 W effektförlust underlättar layouter med hög effekttäthet
• Vgs 30 V-gränsen ger robusta grindspänningsmarginaler
Användningsområden
• Idealisk för strömomvandlare i industriella strömförsörjningsenheter
• Lämplig för omkopplingssteg för högspänningsomvandlare
• Används för motordrivna front-end-switchtransistorer
• Kan användas för reglering av elskenor för telekom
• Rekommenderas för primärbrytare för switchade nätaggregat
• Lämplig för omkopplingssteg för högspänningsomvandlare
• Används för motordrivna front-end-switchtransistorer
• Kan användas för reglering av elskenor för telekom
• Rekommenderas för primärbrytare för switchade nätaggregat
Vilka förpackningsfördelar hjälper till med termisk kretskortsdesign?
Ytmonteringsformatet TO-263 har en stor värmedyna och metallflik för att förbättra värmeöverföringen till kortet och externa kylelement.
Hur påverkar grindladdningen valet av drivkrets?
63 nC grindladdning bestämmer önskad drivström och omkopplingsförluster
måste grinddrivare generera och sänka tillräckligt med ström för önskade övergångshastigheter för att balansera effektivitet och EMI.
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C kopplings- eller omgivningsförhållanden som definieras av systemkylning, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.
Finns det några angivna regleringsbegränsningar för användning?
Komponenten uppfyller RoHS-direktiven, vilket indikerar att den uppfyller kraven på begränsade ämnen för elektroniska monteringar.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, SIHP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF