Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- RS-artikelnummer:
- 268-8291
- Tillv. art.nr:
- SIHB085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
2 228,60 kr
(exkl. moms)
2 785,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 000 enhet(er) levereras från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 44,572 kr | 2 228,60 kr |
| 100 - 450 | 36,46 kr | 1 823,00 kr |
| 500 - 950 | 31,022 kr | 1 551,10 kr |
| 1000 + | 30,213 kr | 1 510,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8291
- Tillv. art.nr:
- SIHB085N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 34A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.084Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 184W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.084Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal effektförlust Pd 184W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correctio
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 34 A 650 V Förbättring TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal 34 A 600 V Förbättring TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal 35 A 600 V Förbättring TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal 5 A 850 V Förbättring TO-263, SIHB
- Vishay N-kanal Kanal 16 A 650 V Förbättring TO-263, E Series
- Vishay Typ N Kanal 25 A 650 V Förbättring TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal 34 A 650 V Förbättring TO-220AB, SIHP
- Vishay Typ N Kanal 34 A 650 V Förbättring TO-247AC, SIHG