ROHM N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3R02BBH
- RS-artikelnummer:
- 266-3852
- Tillv. art.nr:
- RD3R02BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
50,62 kr
(exkl. moms)
63,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,124 kr | 50,62 kr |
| 50 - 95 | 9,116 kr | 45,58 kr |
| 100 - 245 | 7,28 kr | 36,40 kr |
| 250 - 995 | 7,124 kr | 35,62 kr |
| 1000 + | 5,936 kr | 29,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 266-3852
- Tillv. art.nr:
- RD3R02BBHTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 6V | |
| Serie | RD3R02BBH | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 81mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 6V | ||
Serie RD3R02BBH | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 81mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket, lämplig för omkoppling.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfria
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3G500GN
- ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P200SN
- ROHM N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 7 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60