ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P200SN
- RS-artikelnummer:
- 264-3818
- Tillv. art.nr:
- RD3P200SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
107,18 kr
(exkl. moms)
133,975 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 320 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,436 kr | 107,18 kr |
| 50 - 95 | 19,22 kr | 96,10 kr |
| 100 - 245 | 15,30 kr | 76,50 kr |
| 250 - 995 | 15,03 kr | 75,15 kr |
| 1000 + | 12,612 kr | 63,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3818
- Tillv. art.nr:
- RD3P200SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | RD3P200SN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 46mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie RD3P200SN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 46mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ROHM Power MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, det är drivkretsar kan vara enkla och blyfria och RoHS-kompatibla.
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P200SN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P03BBH
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P07BBH