ROHM N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN
- RS-artikelnummer:
- 265-5415
- Tillv. art.nr:
- R6013VND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 445 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr |
| 50 - 95 | 19,668 kr | 98,34 kr |
| 100 - 245 | 15,814 kr | 79,07 kr |
| 250 - 995 | 15,50 kr | 77,50 kr |
| 1000 + | 12,902 kr | 64,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-5415
- Tillv. art.nr:
- R6013VND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | R6013VND3 NaN | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 131W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS NaN | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie R6013VND3 NaN | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 131W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS NaN | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket som är lämplig för omkopplingskretsar, enkelcellsbatterier och mobila tillämpningar.
Snabb omvänd återhämtningstid (trr)
Låg påslagningsresistans
Snabb kopplingshastighet
Drivkretsar kan vara enkla
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P130SP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R6004END3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R6007END3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD50R