ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- RS-artikelnummer:
- 265-284
- Tillv. art.nr:
- R6010YND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
126,00 kr
(exkl. moms)
157,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,60 kr | 126,00 kr |
| 100 - 240 | 11,973 kr | 119,73 kr |
| 250 - 490 | 11,088 kr | 110,88 kr |
| 500 - 990 | 10,203 kr | 102,03 kr |
| 1000 + | 9,822 kr | 98,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-284
- Tillv. art.nr:
- R6010YND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | R60 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 390mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 92W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie R60 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 390mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 92W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET har låg påslagningsresistans och snabba omkopplingsförmågor, vilket gör den idealisk för olika omkopplingstillämpningar. Dess låga påslagningsmotstånd förbättrar effektiviteten genom att minimera effektförlusten, medan den snabba omkopplingshastigheten möjliggör snabba svarstider i dynamiska miljöer. Denna kombination av attribut säkerställer tillförlitlig prestanda i krävande tillämpningar, som strömhantering och motorstyrning.
Drivkretsar kan vara enkla
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Halogenfria
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 7 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223-3, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R60
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FM, R60