STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Förbättring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-1035
Tillv. art.nr:
SGT120R65AL
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

Rulle

Serie

G-HEMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics e-mode PowerGaN-transistor kombineras med en väletablerad förpackningsteknik. Den resulterande G-HEMT-enheten ger extremt låga ledningsförluster, hög strömförmåga och ultrasnabb omkopplingsdrift för att möjliggöra hög effekttäthet och oslagbar effektivitet.

Förbättringsläge normalt avstängd transistor

Mycket hög omkopplingshastighet

Hög effekthanteringsförmåga

Extremt låga kapaciteter

Kelvin-källspad för optimal grindstyrning

Noll återhämtningsladdning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.