STMicroelectronics, MOSFET, 15 A 750 V Förbättring, 4 Ben, Rulle, G-HEMT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

32,82 kr

(exkl. moms)

41,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4816,41 kr32,82 kr
50 - 9816,015 kr32,03 kr
100 - 24815,57 kr31,14 kr
250 - 99815,175 kr30,35 kr
1000 +14,785 kr29,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-1035
Tillv. art.nr:
SGT120R65AL
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

Rulle

Serie

G-HEMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics e-mode PowerGaN transistor is combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

Relaterade länkar