STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 17 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

16,35 kr

(exkl. moms)

20,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +16,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
719-634
Tillv. art.nr:
SGT140R70ILB
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Transistor

Kanaltyp

P-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

17A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

140mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

113W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8.1mm

Höjd

0.9mm

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics 700 V 17 A e-mode PowerGaN-transistor kombineras med en väletablerad förpackningsteknik. Den resulterande G-HEMT-enheten ger extremt låga ledningsförluster, hög strömförmåga och ultrasnabb omkopplingsdrift för att möjliggöra hög effekttäthet och oslagbar effektivitet.

Förbättringsläge normalt avstängd transistor

Mycket hög omkopplingshastighet

Hög effekthanteringsförmåga

Extremt låga kapaciteter

Kelvin-källspad för optimal grindstyrning

Noll återhämtningsladdning

ESD-skydd

Relaterade länkar