STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 21.7 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- RS-artikelnummer:
- 719-633
- Tillv. art.nr:
- SGT105R70ILB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
24,30 kr
(exkl. moms)
30,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 290 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 24,30 kr |
| 10 - 24 | 21,39 kr |
| 25 - 99 | 20,94 kr |
| 100 - 499 | 20,72 kr |
| 500 + | 20,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-633
- Tillv. art.nr:
- SGT105R70ILB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Transistor | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | G-HEMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 105mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -6, 7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 158W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Transistor | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie G-HEMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 105mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -6, 7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 158W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Bredd 8.1mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics 700 V 21,7 A e-mode PowerGaN-transistor kombineras med en väletablerad förpackningsteknik. Den resulterande G-HEMT-enheten ger extremt låga ledningsförluster, hög strömförmåga och ultrasnabb omkopplingsdrift för att möjliggöra hög effekttäthet och oslagbar effektivitet.
Förbättringsläge normalt avstängd transistor
Mycket hög omkopplingshastighet
Hög effekthanteringsförmåga
Extremt låga kapaciteter
Kelvin-källspad för optimal grindstyrning
Noll återhämtningsladdning
ESD-skydd
Relaterade länkar
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 10 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 11.5 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 17 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 29 A 700 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Transistor, 26 A 700 V Förbättring, 13 Ben, TO-LL, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, G-HEMT
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET