Microchip N Kanal, MOSFET, 1.5 A 50 V MOSFET, 3 Ben, SOT-89, VN3205
- RS-artikelnummer:
- 264-8946
- Tillv. art.nr:
- VN3205N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (2000 enheter, på en rulle med 2000)*
36 826,00 kr
(exkl. moms)
46 032,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 18,413 kr | 36 826,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8946
- Tillv. art.nr:
- VN3205N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | VN3205 | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie VN3205 | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Karaktäristisk för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad source-drain-diod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Relaterade länkar
- Microchip N Kanal, MOSFET, 1.5 A 50 V MOSFET, 3 Ben, SOT-89, VN3205
- Microchip N Kanal, MOSFET 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN3205
- Microchip N Kanal, MOSFET, 360 A 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2524
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 250 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VN2460
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 360 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3525
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 72 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3135
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 0.73 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TP2510