Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 72 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3135
- RS-artikelnummer:
- 649-459
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 5 enheter)*
44,24 kr
(exkl. moms)
55,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 985 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,848 kr | 44,24 kr |
| 50 - 245 | 7,796 kr | 38,98 kr |
| 250 - 495 | 6,988 kr | 34,94 kr |
| 500 + | 6,272 kr | 31,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-459
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 72mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Serie | DN3135 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 72mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Serie DN3135 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip Low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal 135 mA 350 V Avskrivningar SOT-23, DN3135
- Microchip Typ N Kanal 360 mA 250 V Avskrivningar SOT-89, DN3525
- Microchip Typ N Kanal 0.73 A 100 V Förbättring SOT-89, TN2510
- Microchip Typ N Kanal 250 mA 600 V Förbättring SOT-89, VN2460
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 9 V Utarmningsläge SOT-23-5, LND250
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 9 V Utarmningsläge SOT-23-5, MIC94050
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal 350 mA 9 V Utarmningsläge SOT-23-5, LND01
- Infineon Typ N Kanal 350 mA 240 V Avskrivningar SOT-223, SIPMOS AEC-Q101