Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 72 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3135
- RS-artikelnummer:
- 649-459
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 11%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
40,88 kr
(exkl. moms)
51,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 975 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,176 kr | 40,88 kr | - |
| 50 - 245 | 7,212 kr | 36,06 kr | 11% |
| 250 - 495 | 6,452 kr | 32,26 kr | 21% |
| 500 + | 5,78 kr | 28,90 kr | 29% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-459
- Tillv. art.nr:
- DN3135N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 72mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Kapseltyp | SOT-89 | |
| Serie | DN3135 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 72mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Kapseltyp SOT-89 | ||
Serie DN3135 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Bredd 1.3mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips transistor med låg tröskel för utarmningsläge (normalt på) använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip N Kanal, MOSFET, 135 mA 350 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, DN3135
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 360 mA 250 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-89, DN3525
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 730 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, TN2510
- Microchip N Kanal, Enkla MOSFETs, 250 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VN2460
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND01
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, MIC94050
- Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 9 V Utarmningsläge, 5 Ben, SOT-23-5, LND250