Microchip Typ N Kanal, MOSFET 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN3205
- RS-artikelnummer:
- 333-225
- Tillv. art.nr:
- VN3205N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
24 426,00 kr
(exkl. moms)
30 532,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Ny produkt − Förbeställ idag
- Leverans från den 30 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 24,426 kr | 24 426,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 333-225
- Tillv. art.nr:
- VN3205N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VN3205 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VN3205 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Microchip Enhancement mode transistor uses a vertical DMOS structure and a well proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source drain diode
High input impedance and high gain
