Microchip N Kanal, MOSFET, 500 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0610
- RS-artikelnummer:
- 264-8911
- Tillv. art.nr:
- TN0610N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
12 902,00 kr
(exkl. moms)
16 128,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 12,902 kr | 12 902,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8911
- Tillv. art.nr:
- TN0610N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 500A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | TN0610 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 500A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie TN0610 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips N-kanal MOSFET med låg tröskelförstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Lågt tröskelvärde – max. 2,0 V
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans – typiskt 100 pF
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 500 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0610
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 3 A Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0702
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0104
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN3205
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0604
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, TO-92