ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P100SN
- RS-artikelnummer:
- 264-3813
- Tillv. art.nr:
- RD3P100SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
63,28 kr
(exkl. moms)
79,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 365 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,656 kr | 63,28 kr |
| 50 - 95 | 11,29 kr | 56,45 kr |
| 100 - 245 | 8,87 kr | 44,35 kr |
| 250 - 995 | 8,714 kr | 43,57 kr |
| 1000 + | 7,414 kr | 37,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3813
- Tillv. art.nr:
- RD3P100SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | RD3P100SN | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 133mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie RD3P100SN | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 133mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ROHM Power MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, det är drivkretsar kan vara enkla och blyfria och RoHS-kompatibla.
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P100SN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P03BBH
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 6 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P07BBH