ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3L080SN
- RS-artikelnummer:
- 264-3810
- Tillv. art.nr:
- RD3L080SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 264-3810
- Tillv. art.nr:
- RD3L080SNTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | RD3L080SN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 15W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie RD3L080SN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 15W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Pb-free lead plating, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
ROHM Power MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, det är drivkretsar kan vara enkla och blyfria och RoHS-kompatibla.
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3L080SN
- ROHM RD3L080SN N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 2 + Tab-Pin DPAK RD3L080SNTL1
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3L050SN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252