ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT, QH8MA3
- RS-artikelnummer:
- 264-3773
- Tillv. art.nr:
- QH8MA3TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 264-3773
- Tillv. art.nr:
- QH8MA3TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | QH8MA3 | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie QH8MA3 | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-free lead plating | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM MOSFET för medelstor effekt är lämplig för switchande strömförsörjning, den är liten för ytmontering och blyfri plätering och RoHS-kompatibel.
Låg påslagningsresistans
Halogenfria
Relaterade länkar
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT, QH8MA3
- ROHM QH8MA3 Dual N/P-Channel MOSFET, 5.5 (P Channel) A, 7 (N Channel) A, 30 V, 8-Pin TSMT QH8MA3TCR
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 45 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5H020SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RRR040P03
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RTR020P02
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSMT-6, RQ6E050AT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT