ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- RS-artikelnummer:
- 223-6207
- Tillv. art.nr:
- QH8JC5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
74,48 kr
(exkl. moms)
93,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,448 kr | 74,48 kr |
| 50 - 90 | 7,314 kr | 73,14 kr |
| 100 - 240 | 5,522 kr | 55,22 kr |
| 250 - 990 | 5,432 kr | 54,32 kr |
| 1000 + | 4,368 kr | 43,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-6207
- Tillv. art.nr:
- QH8JC5TCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.91Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Bredd | 2.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.91Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.85mm | ||
Bredd 2.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM power MOSFET has TO-3PF package type. It is mainly used for switching.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating, RoHS compliant
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5C035BC
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MC5
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V P, 6 Ben, TSMT, RQ6L035AT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 40 V Förbättring, 7 Ben, DFN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5E035BN
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSMT