ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 45 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RQ5H020SP
- RS-artikelnummer:
- 133-3302
- Tillv. art.nr:
- RQ5H020SPTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
132,95 kr
(exkl. moms)
166,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,318 kr | 132,95 kr |
| 125 - 225 | 3,987 kr | 99,68 kr |
| 250 - 1225 | 3,848 kr | 96,20 kr |
| 1250 - 2475 | 3,754 kr | 93,85 kr |
| 2500 + | 3,66 kr | 91,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 133-3302
- Tillv. art.nr:
- RQ5H020SPTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Kapseltyp | TSMT | |
| Serie | RQ5H020SP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Kapseltyp TSMT | ||
Serie RQ5H020SP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RTR020P02
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TSMT, RRR040P03
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSMT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSMT-6, RQ6E050AT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5C035BC
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT, QH8MA3
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSMT-8, RQ1 AEC-Q101
