Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6779
- Tillv. art.nr:
- IRFU4510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
142,46 kr
(exkl. moms)
178,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 915 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,492 kr | 142,46 kr |
| 50 - 120 | 25,648 kr | 128,24 kr |
| 125 - 245 | 23,924 kr | 119,62 kr |
| 250 - 495 | 18,548 kr | 92,74 kr |
| 500 + | 14,874 kr | 74,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6779
- Tillv. art.nr:
- IRFU4510PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 143W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximal effektförlust Pd 143W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET ger fördelar som förbättrad gate, avalanche och dynamisk dV/dt-robusthet och fullt karakteriserad kapacitans och avalanche SOA.
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET