Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET

RS-artikelnummer:: 168-6296
Tillv. art.nr:: IRFU024NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 168-6296
Tillv. art.nr:: IRFU024NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	17A
	Maximal källspänning för dränering Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	IPAK
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	75mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	20nC
	Maximal effektförlust Pd	45W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	2.39mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A
	Maximal källspänning för dränering Vds 55V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp IPAK
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC
	Maximal effektförlust Pd 45W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 2.39mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MX

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 17 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 45 W maximal effektförlust - IRFU024NPBF

Denna högpresterande N-kanal MOSFET är lämplig för olika elektriska tillämpningar. Med specifikationer som inkluderar en maximal kontinuerlig dräneringsström på 17 A och en maximal dräneringskällspänning på 55 V är denna komponent viktig för proffs inom automations- och elektronikområden. Dess förmåga att fungera i miljöer med höga temperaturer bidrar till dess tillförlitlighet för krävande projekt.

Funktioner & fördelar

• Maximal effektförlust på upp till 45 W för robust drift

• Lågt dräneringskällmotstånd på 75 mΩ förbättrar energieffektiviteten

• Maximal grindgräns på 4 V för förbättrad prestanda

• Enkel transistorkonfiguration förenklar designintegrering

• Utformad för genomgående hålmontering i en TO-251-kapsel för enkel installation

Användningsområden

• Används i strömhanteringssystem för ökad effektivitet

• Idealisk för högfrekvensomkoppling

• Lämpligt för fordonselektronik för konsekvent prestanda

• Används inom industriell automation för styrsystem

• Lämpligt för telekommunikation för att bibehålla signalintegritet

Vilken maximal kontinuerlig dräneringsström stöds?

Den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen som stöds är 17 A, vilket gör den lämplig för olika tillämpningar som kräver betydande effekthantering.

Hur påverkar temperaturen prestandan?

Komponenten fungerar effektivt inom ett brett temperaturområde från -55 °C till +175 °C, vilket säkerställer stabilitet under extrema förhållanden.

Kan den hantera varierande gate-källspänningar?

Ja, den kan rymma gate-source-spänningar från -20 V till +20 V, vilket ger flexibilitet i kretsdesign.

Vilka är konsekvenserna av låg drain-source-resistans?

Ett lågt drain-source-motstånd på 75 mΩ leder till minskad värmegenerering och förbättrad effektivitet, vilket är avgörande för högpresterande tillämpningar.

N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.