Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6775
- Tillv. art.nr:
- IRFU3910PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 262-6775
- Tillv. art.nr:
- IRFU3910PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 115mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 115mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg on-resistans per kiselarea. Den har extremt låg on-resistans. Den ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.
Snabbväxlande
Fullständigt lavinklassad
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, IPS70R