Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 688-7213
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-458
- Tillv. art.nr:
- IRLB3036PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
95,65 kr
(exkl. moms)
119,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 enhet(er) levereras från den 19 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 10 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 47,825 kr | 95,65 kr |
| 20 - 48 | 43,96 kr | 87,92 kr |
| 50 - 98 | 41,215 kr | 82,43 kr |
| 100 - 198 | 38,19 kr | 76,38 kr |
| 200 + | 35,39 kr | 70,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 688-7213
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-458
- Tillv. art.nr:
- IRLB3036PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 270A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 380W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 270A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 380W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 270 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLB3036PBF
Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för högströmsomkoppling med låg förlust i industriella miljöer. Det är en N-kanalförstärkningsenhet i en TO-220-kapsel med genomgående hål, avsedd för tillämpningar som kräver betydande kontinuerlig dräneringsström och robust termisk hållbarhet över ett brett omgivningsområde.
Funktioner och fördelar:
• Mycket låg påslagningsresistans 2 mΩ för minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 270 A för att hantera tunga laster
• Maximal effektförlust på 380 W för högeffektsomkoppling
• 60 V drain-source-spänning för system med måttlig spänning
• Typisk grindladdning 91 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• Hög kontinuerlig dräneringsström 270 A för att hantera tunga laster
• Maximal effektförlust på 380 W för högeffektsomkoppling
• 60 V drain-source-spänning för system med måttlig spänning
• Typisk grindladdning 91 nC möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
Användningsområden
• Lämplig för motorstyrningsstegen i industriell utrustning
• Idealisk för strömförsörjningar och DC/DC-omvandlare
• Används med högströmsväxling i batterihantering
• Kan användas för växelriktarutgångsstegen i medelspänningssystem
• Idealisk för strömförsörjningar och DC/DC-omvandlare
• Används med högströmsväxling i batterihantering
• Kan användas för växelriktarutgångsstegen i medelspänningssystem
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?
Enheten får inte överstiga ±16 V mellan grind och källa för att undvika grind-oxidbelastning.
Hur påverkar det termiska intervallet distributionen?
Den fungerar över -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska förhållanden och förhöjda kopplingsscenarier.
Vad är framåtriktad ledningsegenskap när kroppsdioden leder?
Den framåtriktade spänningen är vanligtvis 1,3 V under diodledning, vilket påverkar förlustberäkningar vid synkrona eller frikopplingsintervall.
Vilka överväganden gäller för förpackning och montering för värmeavledning?
Den levereras i TO-220-format med genomgående hål som underlättar direkt anslutning av kylelement för förbättrad värmehantering.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET