Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6753
- Tillv. art.nr:
- IRFI3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 2000 enheter)*
26 746,00 kr
(exkl. moms)
33 432,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 2000 + | 13,373 kr | 26 746,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6753
- Tillv. art.nr:
- IRFI3205PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 64 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 63 W maximal effektförlust – IRFI3205PBF
Denna MOSFET är lämplig för högeffektiva tillämpningar och erbjuder en lösning för olika elektroniska och elektriska system. Med avancerad bearbetning är den effektiv i strömhantering och omkopplingsuppgifter, och fungerar som en nyckelkomponent i samtida konstruktioner. Dess teknik för förbättringsläge säkerställer konsekvent prestanda över olika driftsförhållanden.
Funktioner & fördelar
• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 64 A stöder högpresterande tillämpningar
• 55 V dräneringsspänning förbättrar kretsens tillförlitlighet
• Lågt motstånd på 8 mΩ minskar effektförlusten
• Snabba växlingshastigheter ökar effektiviteten i högfrekventa tillämpningar
• Maximal effektförlust på 63 W stöder effektiv värmehantering
• TO-220-husets konstruktion möjliggör enkel installation i olika konfigurationer
Användningsområden
• Används i strömförsörjningar för effektiv energiomvandling
• Lämplig för DC/DC-omvandlare som hanterar höga strömmar
• Idealisk för motorstyrning kräver snabb omkoppling
• Används i inverterkretsar inom system för förnybar energi
• Används i system för strömhantering i elbilar
Hur gynnas prestandan av det låga motståndet på?
Det låga motståndet vid påkoppling minskar värmeförlusten, ökar effektiviteten och säkerställer att mer energi finns tillgänglig för belastningen i stället för att slösas bort som värme.
Vad är den optimala grindspänningen för effektiv drift?
En optimal grindspänning på 10 V säkerställer maximal ledningsförmåga, vilket bekräftar tillförlitlig drift i tillämpningar med hög ström.
Kan den här komponenten hantera pulserade strömmar?
Ja, den är märke för pulserade dräneringsströmmar upp till 390 A, vilket gör den lämplig för tillämpningar med övergående krav.
I vilket temperaturområde kan den fungera?
Den fungerar effektivt över ett brett temperaturområde på -55 °C till +175 °C och passar olika miljöförhållanden.
Är den här produkten kompatibel med standard PCB-montering?
Ja, dess TO-220-huskonstruktion säkerställer kompatibilitet med konventionella genomhålskontaktmonteringsmetoder.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET