Infineon N Kanal, MOSFET, 210 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6722
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-665
- Tillv. art.nr:
- IRF2204PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
170,69 kr
(exkl. moms)
213,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 020 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,138 kr | 170,69 kr |
| 25 - 45 | 32,436 kr | 162,18 kr |
| 50 - 120 | 30,352 kr | 151,76 kr |
| 125 - 245 | 28,336 kr | 141,68 kr |
| 250 + | 25,94 kr | 129,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6722
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-665
- Tillv. art.nr:
- IRF2204PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 210A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 210A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt lågt on-motstånd per kiselarea. Den här konstruktionen har ytterligare egenskaper som 175°C drifttemperatur, snabb omkopplingshastighet och förbättrad klassificering för repetitiv lavin.
Ultralåg on-resistans
Dynamisk dv/dt-klassning
Upprepade laviner tillåtna upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 210 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET