Infineon N Kanal, MOSFET, 187 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 262-5855
- Tillv. art.nr:
- IPB018N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
193,09 kr
(exkl. moms)
241,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 780 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 38,618 kr | 193,09 kr |
| 25 - 45 | 34,698 kr | 173,49 kr |
| 50 - 120 | 32,436 kr | 162,18 kr |
| 125 - 245 | 30,106 kr | 150,53 kr |
| 250 + | 27,798 kr | 138,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-5855
- Tillv. art.nr:
- IPB018N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 187A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 187A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 187 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 122 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101