ROHM N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V N, TO-252, RD3G03BBG

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 9%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

91,39 kr

(exkl. moms)

114,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 470 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
5 - 4518,278 kr91,39 kr-
50 - 9516,486 kr82,43 kr9%
100 - 24513,172 kr65,86 kr27%
250 - 99512,948 kr64,74 kr29%
1000 +10,752 kr53,76 kr41%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
261-9330
Tillv. art.nr:
RD3G03BBGTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

RD3G03BBG

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.2nC

Maximal effektförlust Pd

50W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM RD3G03BBG är en effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket, lämplig för omkoppling. Förvaringstemperaturen varierar från -55 °C till +150 °C.

Antalet terminaler är 3

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.