ROHM N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V N, TO-252, RD3G03BBG
- RS-artikelnummer:
- 261-9330
- Tillv. art.nr:
- RD3G03BBGTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
91,39 kr
(exkl. moms)
114,24 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,278 kr | 91,39 kr |
| 50 - 95 | 16,486 kr | 82,43 kr |
| 100 - 245 | 13,172 kr | 65,86 kr |
| 250 - 995 | 12,948 kr | 64,74 kr |
| 1000 + | 10,752 kr | 53,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-9330
- Tillv. art.nr:
- RD3G03BBGTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | RD3G03BBG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.2nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie RD3G03BBG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.2nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM RD3G03BBG är en effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket, lämplig för omkoppling. Förvaringstemperaturen varierar från -55 °C till +150 °C.
Antalet terminaler är 3
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Halogenfria
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V N, TO-252, RD3G03BBG
- ROHM N Kanal, MOSFET, 115 A 60 V N, TO-252, RD3L07BBG
- ROHM N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V N, TO-252, RD3L03BBG
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V N, 3 Ben, TO-252, R8007 AEC-Q101