ROHM N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V N, TO-252, RD3G03BBG

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
261-9329
Tillv. art.nr:
RD3G03BBGTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Serie

RD3G03BBG

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

50W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM RD3G03BBG är en effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och högeffektspaket, lämplig för omkoppling. Förvaringstemperaturen varierar från -55 °C till +150 °C.

Antalet terminaler är 3

Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.