STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 261-5482
- Tillv. art.nr:
- STD65N160M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
64 590,00 kr
(exkl. moms)
80 737,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 25,836 kr | 64 590,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5482
- Tillv. art.nr:
- STD65N160M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.1mm | |
| Bredd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.1mm | ||
Bredd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa superkopplings-MDmesh M9-tekniken, lämplig för medel-/högspännings-MOSFET med mycket låg RDS(on) per område. Den silikonbaserade M9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera avlopp som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur.
Högre VDSS-klassning
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Lätt att köra
100 % avalanche-testade
Zenerskyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
