ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 60 V N, TO-252, RD3L07BBG

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
260-6152
Tillv. art.nr:
RD3L07BBGTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

115A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

RD3L07BBG

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

3.9mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47nC

Maximal effektförlust Pd

102W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

Pb-Free Plating, RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM N-kanals effekt-MOSFET har låg påslagningsresistans och har maximal effektförlust på 102 watt. Den används för omkopplingstillämpningar.

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Blyfri plätering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.