Infineon, MOSFET, 7.6 A, 3 Ben, PG-SOT223, IPN

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

53,54 kr

(exkl. moms)

66,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 905,354 kr53,54 kr
100 - 2405,096 kr50,96 kr
250 - 4904,995 kr49,95 kr
500 - 9904,659 kr46,59 kr
1000 +3,752 kr37,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-5153
Tillv. art.nr:
IPN50R800CEATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.6A

Kapseltyp

PG-SOT223

Serie

IPN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.8Ω

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.3mm

Höjd

1.52mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered.

Very high commutation ruggedness

Easy to use or drive

Relaterade länkar