Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 260-1216
- Tillv. art.nr:
- IPP60R040S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
69,66 kr
(exkl. moms)
87,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 354 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,66 kr |
| 10 - 24 | 66,30 kr |
| 25 - 49 | 63,39 kr |
| 50 - 99 | 60,59 kr |
| 100 + | 56,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1216
- Tillv. art.nr:
- IPP60R040S7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 820mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 15.95mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 820mV | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 15.95mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPP MOSFET-transistor i serien, 600 V maximal drain-källspänning, 13 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPP60R040S7XKSA1
Denna MOSFET-transistor är en toppmodern högspänningshalvledarkomponent utformad för effektiv strömomkoppling. Med robusta specifikationer, inklusive en kontinuerlig dräneringsström på 13 A och en maximal dräneringskällspänning på 600 V, är den inkapslad i en TO-220-kapsel, vilket gör den lämplig för en mängd olika tillämpningar. Den säkerställer tillförlitlig prestanda i krävande miljöer och fungerar inom ett brett temperaturområde från -55 °C till +150 °C.
Funktioner & fördelar
• Utformad med CoolMOSTM S7-teknik för att minimera ledningsförluster
• Erbjuder en låg på-resistans på 40 mΩ för ökad effektivitet
• Kan hantera höga pulsströmmar för krävande krav
• Optimerad för lågfrekvensomkopplingstillämpningar, vilket förbättrar systemprestanda
• Inbyggda funktioner säkerställer hög tillförlitlighet i statiska omkopplingsscenarier
Användningsområden
• Används för halvledarreläer och innovativa säkringskonstruktioner
• Idealisk för linjelikriktning inom högeffektsprestanda som dator- och telekommunikation
• Kan användas i förnybara energilösningar, särskilt solcellsväxelriktare
Vilka är de kritiska funktionerna som påverkar den termiska prestandan?
Enheten har en maximal effektförlust på 245 W och en termisk resistans från koppling till omgivningstemperatur på 62 °C/W, vilket underlättar effektiv värmehantering. Detta säkerställer lång livslängd och tillförlitlighet under krävande driftsförhållanden.
Hur förbättrar denna komponent systemets effektivitet för lågfrekventa tillämpningar?
Med sin låga påslagningsresistans och CoolMOSTM-teknik minskas energiförlusterna under drift avsevärt, vilket möjliggör förbättrad övergripande effektivitet och minimerar värmegenerering i lågfrekvensmiljöer.
Vilka är de rekommenderade metoderna för att använda detta i högspänningstillämpningar?
Det är lämpligt att utvärdera effekterna av kosmisk strålning under designfasen och överväga lämpliga designmetoder, t. ex. att använda ferritpärlor på grinden för parallella tillämpningar, för att mildra eventuella problem.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.9 A 500 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP