Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 258-3895
- Tillv. art.nr:
- IPP60R160P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
67,09 kr
(exkl. moms)
83,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 192 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 33,545 kr | 67,09 kr |
| 20 - 48 | 29,85 kr | 59,70 kr |
| 50 - 98 | 28,225 kr | 56,45 kr |
| 100 - 198 | 26,15 kr | 52,30 kr |
| 200 + | 24,135 kr | 48,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3895
- Tillv. art.nr:
- IPP60R160P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOS P7 Super Junction MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOS P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa RonxA och den inneboende låga grindladdningen på CoolMOS-plattformens 7:e generation säkerställer dess höga effektivitet.
Integrerat grindmotstånd RG
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Användarvänlighet i tillverkningsmiljöer genom att förhindra ESD-fel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.9 A 500 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 119 A 60 V, 3 Ben, TO-220, IPP